近日，國家標準計劃《表面化學分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》完成起草工作，正在征求意見，截止日期為2023年7月9日。該標準等同采用ISO國際標準：ISO 14707:2021，由TC38(全國微束分析標準化技術委員會)歸口，TC38SC2(全國微束分析標準化技術委員會表面化學分析分會)執(zhí)行，主要起草單位為寶山鋼鐵股份有限公司。

輝光放電發(fā)射光譜法(GD-OES)是將表面剝離和元素分析相結合的薄膜材料表征技術，既可以進行體材分析，也可以進行深度剖析。GD-OES具有眾多優(yōu)點，包括基體效應小、低功率、低能級激發(fā)、自吸收效應小、分析速度快且深度分辨率高、可探測所有元素(包括氫)等，因此被廣泛應用于鋼鐵和汽車表面涂層、表面抗菌、電鍍層、半導體和氣相沉積薄膜等元素成分的剖面分析。

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我國原有的GB/T 19502-2004《表面化學分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》等同采用ISO國際標準：ISO 14707:2000。2021年3月12日，新的GD-OES國際標準ISO 14707:2021正式公布。為了使輝光放電發(fā)射光譜分析技術盡快與國際接軌，國家標準化管理委員會于2021年啟動《表面化學分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》修訂工作，將國際標準 ISO 14707:2021 等同轉(zhuǎn)化為國家標準。

《表面化學分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》討論的方法通則為剛性固體樣品的分析，不包括粉末、氣體或溶液的分析，適用于 Grimm 型光源、Marcus 型光源以及其他類型的光源。標準具體內(nèi)容包括輝光放電發(fā)射光譜分析的原理、儀器組成部分、分析步驟等。

與 GB/T 19502-2004 相比較，除部分編輯性修改外，修訂后的標準內(nèi)容主要技術變化如下：

——增加了原標準 4 原理中 CCD 檢測器的應用。

——修改了原標準 5.1.1 中放電電流、放電電壓、氣體流速和射頻頻率等光源參數(shù)的適用范圍。

——刪除了原標準 5.2 中使用 CCD 和 CID 檢測器的特別說明。

——增加了原標準 5.3 中 CCD 和 CID 檢測器的應用。

——增加了原標準 6.2.2 中深度剖析定量分析所選擇工作曲線樣品“應具有可測定、可再現(xiàn)的濺射

率”的要求。

——增加了原標準 6.2.3 中計算工作曲線函數(shù)的要求。

儀器分析的質(zhì)量主要取決于如何使儀器處于最佳狀態(tài)和如何正確地使用儀器?！侗砻婊瘜W分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》的修訂為輝光放電發(fā)射光譜分析提供了最新的指導，可以讓我國的輝光放電發(fā)射光譜分析能力與國際先進水平保持一致。

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